碳化硅和氮化鎵技術(shù)在過去幾年中取得了巨大的發(fā)展,被證明是商業(yè)上可用的節(jié)能技術(shù)。雖然硅在高達 650 V 的較低電壓下仍然具有競爭力,但SiC 和 GaN在較高電壓下提供高效的高頻和大電流操作。Si、SiC和GaN之間的大戰(zhàn)場在 650 V 左右,所有設備都適用于 400 V 電動汽車總線電壓。為了使 EV 能夠更快地充電,汽車電力電子設計人員需要 GaN 和 SiC 器件以及能夠滿足 EV 效率和功率密度要求的新動力總成架構(gòu)。為了在給定電池容量的情況下獲得最大的充電續(xù)航里程,整個電源轉(zhuǎn)換鏈必須達到可能的最大效率。電池必須具有非常高的能量存儲密度。電動汽車的自主性直接反映了其動力總成系統(tǒng)的效率。
某OBC 應用系統(tǒng)應用工程師 確定了 OBC 設計的趨勢,比較了半導體技術(shù)的品質(zhì)因數(shù),并介紹了新的表面貼裝器件封裝。綜合解決方案帶來不同拓撲結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新,提供更高的效率和功率密度,并實現(xiàn)將電動汽車集成到智能電網(wǎng)的雙向性。其他主題包括 SiC 成本分析、熱管理和 GaN 組件的單片集成、用于驅(qū)動和保護電源開關(guān)的高級解決方案以及無線電力傳輸。
深圳市晶光華電子有限公司 26年專注提供一站式晶振產(chǎn)品解決方案,產(chǎn)品主要有SMD石英晶振、 車規(guī)晶振 、 SMD振蕩器等。晶光華始終堅持以品質(zhì)為基石,品質(zhì)符合國際IEC和美國ANSI標準。為了滿足客戶的高標準需求,我司積極整合供應鏈,真正服務每一位品質(zhì)客戶。
【本文標簽】 用于電動汽車的寬帶隙半導體 Glass-2pin無源晶振 有源晶振 晶光華晶振 振蕩器 車規(guī)級晶振
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