了解石英晶體振蕩器的操作。 在本文中,我們將深入地了解石英晶體振蕩器的操作。我們將首先檢查典型晶體的電抗與頻率曲線。有了這些知識,我們將看看兩種不同的振蕩器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),并討論電路架構(gòu)如何迫使晶體以特定頻率振蕩。
圖1:晶振的等效電路圖
圖2:晶振的電抗與頻率曲線圖
為了深入了解晶體的運(yùn)行,我們假設(shè)晶體是理想的,R m可以忽略不計(jì)。因此,在晶體電學(xué)模型的下分支中,我們有 L m和 C m串聯(lián)。
當(dāng)L m和C m串聯(lián)諧振時,它們的阻抗相互抵消。在這個頻率下,下支路的阻抗以及晶體兩端的總阻抗下降到零。這對應(yīng)于圖 2 中的fs,通常稱為晶體的串聯(lián)諧振頻率。請注意,C o 不會影響此頻率的值。
剛好在 fs 之上,L m的電抗變得大于 C m的電抗,我們觀察到晶體表現(xiàn)出感應(yīng)行為。該有效電感的電抗(L m和 C m的串聯(lián)組合)隨頻率增加,并且在某個頻率(f a)下,它等于 晶體模型中 C o的電抗。在這一點(diǎn)上,我們實(shí)際上有一個并聯(lián)的 LC 諧振,晶體的總阻抗接近無窮大。頻率 f a稱為反諧振頻率。這個頻率總是高于串聯(lián)諧振頻率。
晶體將以什么頻率振蕩?
我們看到晶體有兩種共振模式。在 f s和 f a處,晶體的阻抗都是電阻性的。在 f s處,阻力最?。蝗欢?,在反諧振頻率下,晶體的等效阻抗接近無窮大。
現(xiàn)在要問的問題是,在振蕩器電路中使用時,晶體將以什么頻率振蕩?
答案是,它取決于振蕩器拓?fù)洹?
在振蕩頻率下,振蕩器的環(huán)路增益必須等于或大于 1,其相移應(yīng)為 2π 的整數(shù)倍(正反饋)。這些條件決定了晶體的振蕩頻率。
例如,考慮圖 3 中所示的振蕩器。
圖3
在這種情況下,放大級的相移是 2π 的整數(shù)倍。因此,在振蕩頻率下,由晶體和R 1引起的相移應(yīng)該為零。這種零相移可以在晶體具有純電阻阻抗(f s和 f a)的頻率下實(shí)現(xiàn)。
在 f s處,晶體的阻抗最小,因此,由晶體和 R 1創(chuàng)建的分壓器具有更大的增益,如上圖所示。因此,通過上述安排,電路可以在fs處振蕩。
圖 4 描繪了另一種振蕩器拓?fù)?,通常稱為Pierce-Gate振蕩器。
圖4: Pierce-Gate振蕩器
使用這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),放大器可提供 180° 的相移。因此,R s、C 2、C 1和晶體的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)提供額外的 180° 相移以滿足振蕩相位條件。當(dāng)放大器輸出信號通過反饋路徑時,它會經(jīng)歷來自晶體和 C 1組合的一些相移。該相移量取決于信號頻率。
在 f s之下,晶體充當(dāng)電容器,從 X 1和 C 1的相移接近 0°。在 fs 處,晶體具有電阻阻抗,并且該相移約為 90°。高于 fs時,晶體表現(xiàn)出感應(yīng)行為,相移可接近 180°。
在實(shí)踐中,R s和C 2提供的相移小于90°,因此,X 1和C 1的組合需要提供大于90°。這就是為什么晶體需要在其感應(yīng)區(qū)域(圖 2 中的 fs 和 fa 之間)的某個位置工作的原因。
并聯(lián)諧振和串聯(lián)諧振振蕩器
上述討論表明,取決于振蕩器拓?fù)?,石英晶體可以在串聯(lián)諧振頻率 (f s ) 和反諧振頻率 (f a ) 之間的任何頻率下振蕩。
許多常見的振蕩器電路,例如 Pierce、Colpitts 和 Clapp 型振蕩器,都在 fs 和 fa 之間的區(qū)域運(yùn)行晶體。這個區(qū)域通常被稱為“平行共振區(qū)域”,迫使晶體在這個區(qū)域工作的振蕩器被稱為“平行共振振蕩器”。
迫使晶體以 f s工作的振蕩器并不常見。這些振蕩器被稱為“串聯(lián)諧振振蕩器”。值得一提的是,振蕩器設(shè)計(jì)中不使用反諧振點(diǎn)。
并聯(lián)和串聯(lián)諧振晶體
晶體行業(yè)中有兩個技術(shù)術(shù)語有時會引起混淆:“并聯(lián)諧振晶體”(或簡稱為并聯(lián)晶體)和“串聯(lián)諧振晶體”(或串聯(lián)晶體)。
并聯(lián)晶體旨在用于并聯(lián)諧振振蕩器。由于并聯(lián)諧振振蕩器在 fs 和 f a之間的某處操作晶體,因此并聯(lián)晶體的標(biāo)稱頻率是該范圍內(nèi)的頻率,即在晶體的“并聯(lián)諧振區(qū)域”中。
另一方面,串聯(lián)晶體旨在用于串聯(lián)諧振振蕩器。因此,晶體的標(biāo)稱頻率與其串聯(lián)諧振頻率 (f s ) 相同。
這兩種水晶有什么物理區(qū)別嗎?
我們知道,每個晶體都有其特定的串聯(lián)諧振頻率和“并聯(lián)諧振區(qū)域”;我們可以在這兩種共振條件下操作給定的晶體。因此,并聯(lián)晶體和串聯(lián)晶體的物理結(jié)構(gòu)沒有區(qū)別。
這兩個術(shù)語僅與晶體以其標(biāo)稱頻率振蕩的條件有關(guān)。
他們是否指定晶體將達(dá)到其標(biāo)稱頻率的振蕩器拓?fù)漕愋??它是并?lián)諧振振蕩器還是串聯(lián)諧振型?
負(fù)載電容
負(fù)載電容是指晶體應(yīng)該在其端子上“看到”的外部電容量。對于串聯(lián)諧振振蕩器,振蕩器反饋路徑中沒有電抗元件(請參見圖 3 中所示的示例振蕩器)。這就是為什么對于串聯(lián)晶體,負(fù)載電容并不重要(并且未指定)。
然而,對于并聯(lián)晶體,負(fù)載電容是一個關(guān)鍵參數(shù)。在這種情況下,晶體用于其電抗曲線的感應(yīng)區(qū)域。并且,晶體與外部負(fù)載電容形成一個 LC 諧振回路。因此,負(fù)載電容的值起著關(guān)鍵作用,并決定了振蕩頻率。
并聯(lián)晶體實(shí)際上在工廠校準(zhǔn)為在連接到其指定負(fù)載電容時以其標(biāo)稱頻率振蕩。為了達(dá)到標(biāo)稱頻率,我們的應(yīng)用板應(yīng)提供相同的負(fù)載電容。
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