3nm晶圓廠競賽：據(jù)報(bào)道三星接近終點(diǎn)線

3nm晶圓廠競賽：據(jù)報(bào)道三星接近終點(diǎn)線 

就在臺(tái)積電在公司 2022 年北美技術(shù)研討會(huì)上提供其 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)的詳細(xì)信息幾天后，有報(bào)道稱晶圓廠的主要競爭對(duì)手三星本周開始其基于 3 納米的芯片制造。臺(tái)積電計(jì)劃在今年年底開始生產(chǎn) 3 納米。

值得注意的是，雖然臺(tái)積電的 3-nm 節(jié)點(diǎn)基于 FinFET 技術(shù)，但三星正在為這種工藝幾何轉(zhuǎn)向采用環(huán)柵 (GAA)技術(shù)。GAA 設(shè)計(jì)允許晶圓廠在不損害其承載電流的能力的情況下縮小晶體管尺寸。另一方面，臺(tái)積電的 FinFET 架構(gòu)（稱為FinFlex）使芯片設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)各種鰭配置，以滿足性能、功率和裸片尺寸目標(biāo)。

圖 1三星的 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)是圍繞 GAA 技術(shù)構(gòu)建的，三星稱之為多橋通道 FET 或 MCBFET。資料來源：三星

       另外值得注意的是，美國總統(tǒng)拜登最近訪問了三星在 Pyenogtaek 的制造工廠，觀看了 3 納米的演示。行業(yè)觀察人士認(rèn)為，三星可能會(huì)在新的 3 納米節(jié)點(diǎn)上制造其 Exynos 2300 芯片，這些芯片將為部分 Galaxy S23 智能手機(jī)變體提供動(dòng)力。

圖 2美國總統(tǒng)喬拜登參觀了三星在平澤附近的旗艦半導(dǎo)體制造工廠，觀看了 3 納米制造技術(shù)演示

       行業(yè)觀察家還將密切關(guān)注以 3 納米幾何形狀制造的新芯片的良率，尤其是當(dāng)三星的 4 納米節(jié)點(diǎn)存在多個(gè)良率問題時(shí)。根據(jù)行業(yè)報(bào)告，三星預(yù)計(jì)其 3-nm 節(jié)點(diǎn)與 5-nm 制造工藝相比，將帶來 35% 的裸片面積減少、30% 的性能提升和 50% 的功耗降低。

       三星在 3 納米技術(shù)上處于領(lǐng)先地位是一個(gè)有趣的發(fā)展，因?yàn)楦鶕?jù)市場研究公司 Gartner 的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電在 7 納米和 5 納米節(jié)點(diǎn)上占據(jù)了主導(dǎo)市場份額。三星是否會(huì)比臺(tái)積電早一點(diǎn)開始制造 3 納米芯片，從而獲得顯著收益，這也將是一件有趣的事情。

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